Hersteller von Hochreinheitsfilterelementen für präzise Durchflussregelung in Fabriken und Reinräumen

Hersteller von Hochreinheitsfilterelementen für präzise Durchflussregelung in Fabriken und Reinräumen

Kurzbeschreibung:


  • Marke:HENGKO
  • Filtername:IGS Oberflächenmontage-C-Seal-Filter
  • Material:SS 316L
  • Durchflussrate:10 ~ 120 SLPM
  • Maximale Betriebstemperatur:460° C
  • Partikelgröße für die Partikelentfernung:> 0,003 μm
  • Produktdetails

    Produkt-Tags

    Hersteller von Hochreinheitsfilterelementen mit präziser Durchflusskontrolle

    für Fabrikations- und Reinraumanwendungen

     

    Beschreibung

    HENGKO Oberflächenmontagefilter wurden speziell für die hohen Anforderungen integrierter Gassysteme in Halbleiter-OEM-Anlagen entwickelt. Mit branchenführender Filtration bei 0,003 µm gewährleisten diese Filter außergewöhnliche Leistung und Zuverlässigkeit mit einem Partikelabscheidegrad von ≥99,9999999 % (9-LRV) bei 120 slpm.

    Diese Filter, gefertigt aus robustem, pulvergesintertem Edelstahl 316L für Filterelement und Gehäuse, entsprechen den Spezifikationen der SEMI F86-0304 und verfügen über Zwei-Port-Komponenten, die speziell für 1,125"-Gasverteilungssysteme mit C-Dichtung ausgelegt sind. Sie unterstützen einen maximalen Eingangsdruck von 3,4 MPa bei 100 °C und eine maximale Betriebsdruckdifferenz von 0,69 MPa bei 100 °C.

    Diese Spezialfilter, die sowohl mit C- als auch mit W-Dichtungsspezifikationen kompatibel sind, erreichen eine hohe Reinheit im nachgelagerten Bereich bei gleichzeitiger Partikelfreisetzung.

    Mit einer Oberflächengüte von Ra< 1,6 µm an der Außenseite und RaMit einer Innendicke von < 0,13 µm sind sie für hohe Temperaturen bis zu 460 °C ausgelegt. Dank ihrer Konstruktion für einfache Integration und modulare Design-Upgrades vereinfachen diese Filter Installation und Wartung und tragen so zur Optimierung der Systemleistung in der Halbleiterindustrie bei, insbesondere bei der Gasversorgung und -steuerung.

     

    Produktmerkmale

    ▶ Komplett aus Edelstahl 316L gefertigt
    ▶ Miniaturisiertes Design, kompakte Bauweise, platzsparend
    ▶ Ausgezeichnete Gasaustausch- und Desorptionseigenschaften
    ▶ Hochtemperatur-, hochdruck- und korrosionsbeständig
    ▶ Elektropoliertes Gehäuse aus Edelstahl 316L
    ▶ Einfache und effiziente Installation und Wartung
    ▶ Mechanische Abdichtung, strukturell nicht mit dem Medium verschweißt

     

    Hochleistungsfähige IGS-Oberflächenmontage-C-Dichtungsfilter für Halbleiter-Gasversorgungssysteme

     

    Datenblatt

    Technische Parameter Werte
    Filterelementmaterial Sinterpulver aus Edelstahl 316L
    Gehäusematerial Edelstahl 316L
    Maximaler Einlassdruck 3,4 MPa bei 100 °C
    Maximale Betriebsdifferenzial 0,69 MPa bei 100 °C
    Helium-Verifizierungsleckrate 1x10⁻¹¹ cm³/min
    Helium-Testleckrate 1x10⁻⁹ cm³/min
    Oberflächenbehandlung Äußere Oberfläche Ra< 1,6 μm
      Innenfläche Ra< 0,13 μm
    Maximale Betriebstemperatur 460 °C
    Partikelabfangeffizienz ≥99,9999999% (9-LRV) @ 120 slpm (Referenz-MPPS, alle Partikel)
    Reinigung stromabwärts Partikelfreisetzung:< 0,03 Partikel/Liter (< 1 Partikel/ft³)
      Flüchtige Stoffe:< 10 ppb Feuchtigkeit
    Partikel-Interzeptionsgröße ≥0,003 μm
    Durchflussbereich 0 ~ 120 Schlupf/min

     

    Größe

    Größe von Oberflächenmontagefiltern

    Hier finden Sie die Artikelnummer, die Sie bestellen können, sowie die Größenangaben:

    Produktmodell Durchflussrate Höhe H (mm) Filtrationspräzision Reinigungsstufe
    Z01B-00637 10 Schlupf/min 51,6 0,003 μm C
    Z01B-00638 40 Schlupf/min 82,9 0,003 μm C
    Z01B-00687 80 Schlupf/min 126.2 0,003 μm C
    Z01B-00688 120 Schlupf/min 167,9 0,003 μm C

     

    Typische Anwendungen

    Zur Verwendung mit W-Seal und C-Seal, 1,125" und 1,5" modularen Oberflächenmontage-Gasversorgungssystemen.

     

    IGS Filters flache Oberflächenmontage C-Dichtungsfilter Gaszufuhrsysteme für Halbleiter

     

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